Лемешко Н.В. Основы проектирования интегральных микросхем, 2010 г.

Продаю книгу Лемешко Н.В. Основы проектирования интегральных микросхем, 2010 г.
Будет полезна всем, кто желает освоить методы проектирования интегральных схем.
Написана понятным языком, что немаловажно для изучения предмета.

Ниже привожу оглавление книги - для пояснения содержания.

ПРЕДИСЛОВИЕ 5
1. ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И ИХ ПРОЕКТИРОВАНИЕ 8
1.1. ОСОБЕННОСТИ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 8
1.2. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 8
1.2.1. Структура тонкопленочных резисторов 8
1.2.2. Типы тонкопленочных резисторов 11
1.2.3. Варианты резисторов специальной конструкции 13
1.2.4. Материалы тонкопленочных резисторов 14
1.2.5. Расчет геометрических размеров тонкопленочных резисторов 16
1.2.6. Проектирование подстраиваемых резисторов 21
1.2.7. Особенности проектирования резисторов формы меандр 23
1.2.8. Частотные свойства пленочных резисторов 26
1.3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ 28
1.3.1. Неподстраиваемые конденсаторы 28
1.3.2. Подстраиваемые конденсаторы 33
1.3.3. Модели и частотные свойства тонкопленочных конденсаторов 34
1.4. RC-ЦЕПИ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ 36
1.5. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНДУКТИВНОСТЕЙ 41
1.5.1. Типы пленочных катушек и расчет их индуктивности 41
1.5.2. Модель тонкопленочной катушки индуктивности и её частотные свойства 45
2. КОНСТРУКЦИЯ ИМС И ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОПОЛОГИИ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 48
2.1. ГЕРМЕТИЗАЦИЯ И ТИПЫ КОРПУСОВ МИКРОСХЕМ 48
2.1.1. Герметизация и требования к корпусам ИМС 48
2.1.2. Типы корпусов микросхем 49
2.1.3. Электрическая модель вывода корпуса ИМС 57
2.1.4. Основы теплового расчета корпусов микросхем 58
2.2. КОНСТРУИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ ПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТНЫХ ПЕРЕХОДОВ И КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК 63
2.3. НАВЕСНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ГИС 65
2.4. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ТОПОЛОГИИ ГИС 69
2.5. РАСЧЕТ ЕМКОСТЕЙ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИМС 82
3. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ПРОЕКТИРОВАНИЯ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 84
3.1. ВВЕДЕНИЕ. ЭТАПЫ РАЗРАБОТКИ ИМС СВЧ 84
3.2. ПРИНЦИПЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ ИМС СВЧ 85
3.3. ПЕРЕХОДЫ И ИХ КОНСТРУИРОВАНИЕ 88
3.4. ЭЛЕМЕНТЫ ИМС СВЧ 91
3.5. РЕЗОНАТОРЫ В МИКРОСХЕМАХ СВЧ 99
3.6. РЕАЛИЗАЦИЯ СВЧ-УСТРОЙСТВ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ НА ПРИМЕРЕ ПАССИВНЫХ ФИЛЬТРОВ 101
3.7. КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И УЗЛОВ ИМС СВЧ 105
4. ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ И МИКРОСБОРКИ 107
4.1. КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ ГИС 107
4.1.1. Особенности толстопленочных ГИС 107
4.1.2. Платы и пасты, используемые при производстве толстопленочных ГИС 107
4.1.3. Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС 110
4.1.4. Разработка топологии толстоплёночных ГИС 113
4.1.5. Конструкторский расчёт элементов толстоплёночных ГИС 116
4.2. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ И НАВЕСНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРОК 119
4.2.1. Особенности конструкции и производства микросборок 119
4.2.2. Конструкция компонентов микросборок и основные методы их монтажа 124
5. ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС 130
5.1. ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС 130
5.2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ 130
5.2.1. Типы полупроводниковых резисторов и их основные свойства 130
5.2.2. Факторы, влияющие на стабильность свойств полупроводниковых резисторов. Корректировка номиналов 134
5.2.3. Эквивалентная схема интегрального резистора 136
5.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ 138
5.3.1. Основные типы полупроводниковых конденсаторов и их свойства 138
5.3.2. Барьерная емкость и её качественные характеристики 142
5.3.3. Эквивалентная схема и добротность диффузионных конденсаторов 145
5.4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС 146
5.4.1. Транзисторы n-p-n-типа 146
5.4.2. Разновидности n-p-n-транзисторов 152
5.4.3. Интегральные транзисторы p-n-p-типа 155
5.4.4. Пробой переходов биполярного транзистора и методы повышения пробивных напряжений 157
5.5. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ДИОДЫ 161
5.6. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС 163
5.6.1. Структура и свойства интегрального полевого транзистора 163
5.6.2. Статические характеристики и схема замещения полевого транзистора 166
5.6.3. Конструкция объемного полевого транзистора 168
5.7. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МДП-ТРАНЗИСТОРЫ 169
5.7.1. Принципы функционирования и основные типы интегральных МДП-транзисторов 169
5.7.2. Статические характеристики и схема замещения МДП-транзисторов 174
5.7.3. Показатели быстродействия и пороговое напряжение МДП-транзисторов 178
5.8. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ТИРИСТОРЫ 184
5.9. ИЗОЛЯЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС 188
6. ЧАСТНЫЕ ВОПРОСЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 195
6.1. СОГЛАСОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 195
6.1.1. Введение 195
6.1.2. Методы обеспечения согласования элементов в ИМС 197
6.1.3. Согласование элементов некоторых типов 203
6.2. ОСНОВЫ ЗАЩИТЫ ЭЛЕМЕНТОВ ИМС ОТ ВНУТРЕННИХ ШУМОВ 206
6.2.1. Представление о топологических методах экранирования 206
6.2.2. Особенности проектирования шин питания и размещения блоков в цифроаналоговых схемах 208
6.3. ЗАЩИТА ИМС ОТ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА 210
6.3.1. Модели воздействия статического электричества 210
6.3.2. Топология цепей защиты выводов ИМС от воздействия электростатического разряда 213
6.3.3. Элементы защиты ИМС от статического электричества 215
6.4. ПРОЕКТИРОВАНИЕ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. ПОНЯТИЕ О КРЕМНИЕВОЙ КОМПИЛЯЦИИ 218
6.4.1. Принципы масштабирования КМОП-микросхем 218
6.4.2. λ-проектирование топологии ИМС 219
6.4.3. Нормы проектирования топологии 220
6.4.4. Основы автоматизированного проектирования топологии ИМС. Понятие кремниевой компиляции 222
6.5. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 228
6.5.1. Подходы к моделированию интегральных микросхем 228
6.5.2. Примеры электрических моделей ИМС 230
6.5.3. Представление об IBIS-моделях цифровых ИМС 236
6.6. КОНСТРУКТОРСКАЯ ДОКУМЕНТАЦИЯ НА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 249
6.6.1. Введение 249
6.6.2. Примеры фрагментов топологических чертежей ГИС 250
6.6.3. Примеры фрагментов топологических чертежей полупроводниковых ИМС 254
7. НАДЕЖНОСТЬ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 259
8. НАНОТЕХНОЛОГИИ КАК ПЕРСПЕКТИВА РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 263
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 270


Получение покупки и передача денег - в Москве, в центре.

P/S. 1. Уважаемые покупатели! Вопросы о возможности пересылки лотов в другие города РФ прошу задавать через форум.

Указанная мной информация о том, что лоты не высылаются в другие города, не является абсолютным правилом.

Пишите - обсудим!

2.  Дополнительно сообщаю - на многие лоты на текущий период  установлены вообще смешные цены - это своего рода распродажа!

Не дожидайтесь повышения стоимости лотов:  увидели - понравилось (нужно для дела/душа желает/и т.д.) - купили!!!

3. Среди моих лотов не мало уникальных, которые больше ни у кого не подаются, либо которые очень трудно найти. Так что...

4. Удачных и полезных покупок! И помните о том, что лот, который Вы приметили, может достаться более решительным покупателям!

5. С 01.07.2019 я подниму цены на большинство лотов в среднем на 20%, ибо инфляция не дремлет! Разбирайте, пока не подорожало!